[发明专利]半导体薄膜、薄膜晶体管、及其制造方法和制造设备无效
| 申请号： | 200410063906.4 | 申请日： | 2004-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1550863A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 田边浩 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于制造半导体薄膜的方法，其可以形成具有均匀晶体生长方向和大尺寸的晶粒，以及利用上述方法的制造设备，和用于制造薄膜晶体管的方法。在上述方法中，通过施加被光屏蔽元件部分截取的能量束，熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生。束辐射向硅薄膜的光屏蔽区提供能量，以便于熔化和再结晶以光屏蔽区为起始点发生，且以便于使光屏蔽区中的局部温度梯度为1200℃/μm或更大。在制造方法中，用于提供能量束的光学系统的分辨率优选为4μm或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 薄膜晶体管 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造半导体薄膜的方法，包括：通过用被光屏蔽元件部分截取的能量束辐射预先形成的半导体薄膜，使所述预先形成的半导体薄膜以其中的光屏蔽区作为其熔化和再结晶的起始点熔化和再结晶的步骤；其中所述能量束的辐射向所述光屏蔽区给予能量，以便于熔化和再结晶以所述光屏蔽区为所述起始点发生，且以便于使所述光屏蔽区中的局部温度梯度为300℃/μm或更高。
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