[发明专利]包含纳米结构的场致发射阵列的制备方法有效
| 申请号： | 200410063920.4 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1574161A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郑京泽;金明洙;金冠九;赵硕显 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过单独制备一端涂覆的纳米结构，然后将该纳米结构的涂覆端粘附到在衬底上形成的金属电极层上，来制造不含任何有机材料的场致发射阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 纳米 结构 发射 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备场致发射阵列的方法，该方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上形成金属催化剂层，然后在该催化剂层上生长许多纳米结构；(2)用选自金属、合金、以及它们的氧化物、氮化物、碳化物、硫化物和氯化物中的至少一种材料涂覆每个生成的纳米结构的一端；(3)将一端涂覆的纳米结构与第一衬底分离，然后将它们放在形成在第二衬底上的图案金属电极层上；和(4)使纳米结构的涂覆端粘附在金属电极层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星康宁株式会社，未经三星康宁株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410063920.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
