[发明专利]光刻装置以及器件制造方法有效
申请号: | 200410064067.8 | 申请日: | 2004-07-15 |
公开(公告)号: | CN1577106A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | B·斯特里克;A·T·A·M·德克森;J·洛夫;K·西蒙;A·斯特拉艾杰 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种浸没光刻装置,包括温度控制器,它用于将投影系统PL的最后元件、基底W和液体三者的温度调整到接近公共靶部温度T4。对这些元件整体温度的控制以及温度梯度的减小改善了成像一致性和一般的性能。采取的措施包括通过一个反馈电路来控制浸液流率和温度。 | ||
搜索关键词: | 光刻 装置 以及 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻装置,它包括:-照明系统,构造成调整辐射光束;-支承结构,构造成支承构图装置,该构图装置能够把图案赋予辐射光束的横截面,以形成图案化的辐射光束;-基底台,构造成保持基底;-投影系统,构造成将图案化的辐射光束投影到基底靶部;和-液体供给系统,用于至少部分地对所述投影系统最后元件和所述基底之间的空间填充液体,其特征在于,所述液体供给系统包括温度控制器,用于将所述投影系统的所述最后元件、所述基底和所述液体这三者的温度调整到接近公共靶部温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410064067.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。