[发明专利]固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法无效

专利信息
申请号: 200410064086.0 申请日: 2004-06-02
公开(公告)号: CN1574384A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 神户秀夫 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H04N5/335
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马高平;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法,该固体摄像装置包括:半导体基板上的像素区域,该像素区域包括:用于光电变换入射光的传感区域;在传感区域的一侧上形成的垂直CCD,其中在传感区域和垂直CCD之间插入读出区域;和在与传感区域相对的一侧上形成的沟道阻止区域,其中在传感区域和沟道阻止区域之间插入垂直CCD;以及垂直CCD上的垂直输送电极,其中在垂直输送电极和垂直CCD之间插入绝缘膜。垂直输送电极形成在上述垂直CCD上,使得垂直输送电极的宽度和垂直CCD的沟道宽度基本彼此相等。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 驱动 方法
【主权项】:
1、一种固体摄像装置,包括:基板上的像素区域,所述像素区域包括:用于光电变换入射光的传感区域;在所述传感区域的一侧上形成的垂直电荷输送区域,在所述传感区域和所述垂直电荷输送区域之间插入了读出区域;以及在与所述传感区域相对的一侧上形成的沟道阻止区域,所述垂直电荷输送区域被插入在所述传感区域和所述沟道阻止区域之间;以及在所述垂直电荷输送区域上的垂直输送电极,在所述垂直输送电极和所述垂直电荷输送区域之间插入了一绝缘膜,所述垂直输送电极形成在所述垂直电荷输送区域上,使得所述垂直输送电极的宽度和所述垂直电荷输送区域的沟道宽度实质上彼此相等。
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