[发明专利]固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法无效
申请号: | 200410064086.0 | 申请日: | 2004-06-02 |
公开(公告)号: | CN1574384A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 神户秀夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马高平;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种固体摄像装置和固体摄像装置的驱动方法,该固体摄像装置包括:半导体基板上的像素区域,该像素区域包括:用于光电变换入射光的传感区域;在传感区域的一侧上形成的垂直CCD,其中在传感区域和垂直CCD之间插入读出区域;和在与传感区域相对的一侧上形成的沟道阻止区域,其中在传感区域和沟道阻止区域之间插入垂直CCD;以及垂直CCD上的垂直输送电极,其中在垂直输送电极和垂直CCD之间插入绝缘膜。垂直输送电极形成在上述垂直CCD上,使得垂直输送电极的宽度和垂直CCD的沟道宽度基本彼此相等。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像装置,包括:基板上的像素区域,所述像素区域包括:用于光电变换入射光的传感区域;在所述传感区域的一侧上形成的垂直电荷输送区域,在所述传感区域和所述垂直电荷输送区域之间插入了读出区域;以及在与所述传感区域相对的一侧上形成的沟道阻止区域,所述垂直电荷输送区域被插入在所述传感区域和所述沟道阻止区域之间;以及在所述垂直电荷输送区域上的垂直输送电极,在所述垂直输送电极和所述垂直电荷输送区域之间插入了一绝缘膜,所述垂直输送电极形成在所述垂直电荷输送区域上,使得所述垂直输送电极的宽度和所述垂直电荷输送区域的沟道宽度实质上彼此相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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