[发明专利]用于次半波长光刻构图的改善的散射条OPC应用方法无效
| 申请号： | 200410064094.5 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1577107A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | T·莱迪;K·E·瓦姆普勒;D·范登布罗克;J·F·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00;G06F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种形成具有光学近似修正特征的掩模的方法，包括下述步骤：获得含有要被成像的特征的目标图案，展开所述要被成像的特征的宽度，修改所述掩模以包括辅助特征，所述辅助特征放置在邻近所述要被成像的特征的边缘，其中所述辅助特征具有对应于所述要被成像的特征的展开宽度的长度；和将要被成像的特征从所述展开宽度返回到相应于目标图案的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 波长 光刻 构图 改善 散射 opc 应用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成包含目标图案的掩模的方法，该目标图案含有要被成像的特征，所述方法包括下述步骤：(a)获得含有要被成像的特征的所述目标图案；(b)展开所述要被成像的特征的宽度；(c)修改所述掩模以包括辅助特征，所述辅助特征放置在邻近所述要被成像的特征的边缘，所述辅助特征具有对应于所述要被成像的特征展开宽度的长度；和(d)将要被成像的特征从所述展开宽度减小到相应于目标图案的宽度；其中所述掩模包括所述辅助特征和所述要被成像的特征，所述要被成像的特征具有相应于所述目标图案的所述宽度。
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