[发明专利]具有双磁态的磁性元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410064116.8 | 申请日： | 2000-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1591675A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈佑俊;乔恩·迈克尔·斯劳夫特;马克·杜尔拉姆;马克·德赫勒拉;赛德·N.·特拉尼 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种改进且新颖的磁性元件(10；10’；50；50’；80)，它含有许多薄膜层，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。另外还公开了一种通过提供多个薄膜层来构成一种磁性元件(10)的方法，其中单元端部静磁退磁场将抵消这种结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双磁态 磁性 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性元件(10，10’，50，50’，80)其特征在于：多个薄膜层，其中单元端部静磁退磁场(bit end magneto-staticdemagnetization fields)消除该结构的全部正耦合以在零外磁场下获得双磁态。
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