[发明专利]编程操作时控制位线电压电平的闪存编程控制电路和方法有效

专利信息
申请号: 200410064144.X 申请日: 2004-08-19
公开(公告)号: CN1591691A 公开(公告)日: 2005-03-09
发明(设计)人: 金泰成;徐明揆 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吕晓章;马莹
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种用于闪存设备的编程控制电路和利用该电路对闪存设备编程操作期间控制位线电压电平的控制方法,闪存设备包括以矩阵形式排列的多个存储器单元,其中每个存储器单元连接到字线、位线和电源线并提供编程电流给位线。编程控制电路包括电压电平读出控制部分、开关控制部分、电流宿和开关电路。电压电平读出控制部分响应第一编程控制信号被使能或禁止,并将与正被编程的存储器单元相连的位线的电压与基准电压比较并输出与比较结果对应的电压控制信号。开关控制部分响应电压控制信号和第二编程控制信号而输出开关偏置信号。电流宿响应基准偏置信号将预定电流提供给接地电压。在位线和电流宿之间连接的开关电路响应开关偏置信号被导通或截止。
搜索关键词: 编程 操作 控制 电压 电平 闪存 控制电路 方法
【主权项】:
1.一种用于控制闪存设备内存储器单元编程的编程控制电路,该闪存设备包括一存储器单元阵列,其中每个存储器单元被连接到一字线、一位线和一电源线上,并可以通过将一编程电流提供给相应的位线被编程,所述编程控制电路包括:一电平读出控制部分,用于响应第一编程控制信号被有选择地使能或禁止,当被使能时,其输出反映施加到该存储器单元的位线电压与基准电压相比较的一电压控制信号;一开关控制部分,其响应于所述电压控制信号和一第二编程控制信号输出一开关偏置信号;一电流宿,其响应一基准偏置信号将预定电流提供给接地电压;和一开关电路,连接在所述位线和所述电流宿之间,该开关电路响应于所述开关偏置信号被有选择地使能或禁止。
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