[发明专利]形成半导体集成电路布局结构的方法、布局结构及光掩模有效
申请号: | 200410064152.4 | 申请日: | 2004-08-20 |
公开(公告)号: | CN1585110A | 公开(公告)日: | 2005-02-23 |
发明(设计)人: | 前田润 | 申请(专利权)人: | 川崎微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;G06F17/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;钟强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及在计算机上执行半导体集成电路的布局方法。本发明提出了用于设计半导体集成电路的布局方法,该方法能够抑制构图大小的偏移。分布多个标准胞元(10)以形成具有垂直侧和水平侧的无沟道类型的标准胞元阵列(1)。多个第一临近伪胞元(20)沿着标准胞元阵列的每一个垂直侧而分布,以形成第一临近伪条带(20),以便第一临近伪胞元的上侧和下侧相互接触,并且以便每一个第一临近伪胞元的左侧或右侧与标准胞元阵列(1)的垂直侧相接触。进而,多个第二临近伪条带沿着标准胞元阵列的每一个水平侧而分布,以形成第二临近伪条带,以便第二临近伪胞元的上侧或下侧与标准胞元阵列(1)的水平侧相接触。 | ||
搜索关键词: | 形成 半导体 集成电路 布局 结构 方法 光掩模 | ||
【主权项】:
1.一种在计算机系统上形成半导体集成电路的布局结构的方法,包括:在库中准备具有各个逻辑功能的第一多种类型的标准胞元,第一临近伪胞元,以及第二临近伪胞元;第一多种类型的标准胞元的每一个包括分布于具有上侧、下侧、左侧和右侧的标准胞元框架中的多层中的标准胞元构图,第一多种类型的标准胞元具有由标准胞元框架的上侧和下侧之间的距离所定义的共同高度;在具有上侧、下侧、左侧和右侧的第一临近伪胞元框架中分布的多层的至少一层中,第一临近伪胞元包括第一临近伪构图,它无助于半导体集成电路的逻辑功能,第一临近伪胞元具有由第一临近伪胞元框架的上侧和下侧之间的距离所定义的高度,该高度为标准胞元的共同高度的k1倍,其中k1为不小于1的整数;在具有上侧、下侧、左侧和右侧的第二临近伪胞元框架中分布的多层的该至少一层中,第二临近伪胞元包括第二临近伪构图,它无助于半导体集成电路的逻辑功能;从第一多种类型的标准胞元中选择实现半导体集成电路的逻辑功能所需的第二多种类型的标准胞元;通过以行列方式分布第二多种类型的标准胞元的每一种中的一或多个,来形成无沟道类型的标准胞元阵列,标准胞元阵列的外围具有垂直侧和水平侧,其中形成的每一个侧与在标准胞元阵列的最外部中分布的标准胞元的框架的各个侧相连;通过沿着标准胞元阵列的至少一些垂直侧的每一个来分布多个第一临近伪胞元来形成第一临近伪条带,以便多个第一临近伪胞元的框架的上侧和下侧相互接触,并且以便第一多个临近伪胞元的每一个的框架的左侧和右侧之一与标准胞元阵列的垂直侧的相应部分相接触;通过沿着标准胞元阵列的至少一些水平侧的每一个来分布多个第二临近伪胞元来形成第二临近伪条带,以便多个第二临近伪胞元的每一个的框架的上侧和下侧之一与标准胞元阵列的水平侧的相应部分相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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