[发明专利]颗粒除去装置和颗粒除去方法及等离子体处理装置有效
申请号: | 200410064270.5 | 申请日: | 2004-08-23 |
公开(公告)号: | CN1604270A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 守屋刚;长池宏史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可高效率地除去用等离子体处理产生的腔内的颗粒的、实用性高的颗粒除去技术。该颗粒除去装置具有包含带电用电极(72)、和控制带电用电极(72)的电位和电压施加定时的带电控制部分(74)的颗粒带电控制装置。该带电用电极(72)通过绝缘体(70)安装在等离子体蚀刻装置的腔(10)的内壁或喷头(38)的内壁面上。利用由该颗粒带电控制装置形成的离子层区域中的正离子,使颗粒带正电,将带正电的颗粒,移送至等离子体处理装置的排气口(24)侧,并排出至腔(10)的外面(排气装置(28)侧)。 | ||
搜索关键词: | 颗粒 除去 装置 方法 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
1.一种颗粒除去装置,用于在与排气口连接的、可以减压的腔内,生成处理气体的等离子体,从在所述等离子体下对被处理基板进行希望的等离子体处理的等离子体处理装置的所述腔内,除去颗粒,其特征在于,具有通过在除所述被处理基板附近以外的区域所形成的离子层区域的正离子,使在所述腔内产生的颗粒带正电的颗粒带电控制装置,使所述带正电的颗粒,通过所述排气口,向所述腔内的外面排出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410064270.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造