[发明专利]用于淀积薄膜粘结层的方法无效
| 申请号： | 200410064483.8 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1601607A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄成一;卢恩卿;师宁;孙永健 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;C23C28/04;C23C14/28;C23C16/27 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本申请公开了一种物理气相淀积(PVD)方法，其中，将氙用作淀积粘结层最好是硅的真空腔中的工作气体，其可使粘结层变得超薄，并且与现有技术的薄膜相比，具有提高的耐久性。现有技术中通常使用氩作为工作气体，而这导致氩原子混入到超薄硅膜中并产生不良的结果。在只有几埃厚的薄膜中，薄膜混有氩或其它元素会使薄膜的粘结性能降低，在有些情况下，稀有原子例如氩会脱离薄膜而留下空隙或小孔。在真空腔中使用较大和较重的氙原子可形成基本上较为无暇的薄膜，并减少了空隙和小孔。在优选实施例中，采用氙作为淀积硅粘结层的工作气体，并且使用过滤阴极弧(FCA)法，从而将保护涂层、最好是碳基保护涂层淀积在磁记录头上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 粘结 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于薄膜真空淀积的方法，其包括以下的步骤：将硅靶安装在真空腔中；将主要由氙气构成的工作气体引入到真空腔中；以及用氙离子轰击硅靶；以及在真空腔中将硅薄膜淀积在工件上。
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