[发明专利]一种制备多晶硅绒面的方法有效
| 申请号： | 200410064831.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1614789A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 季静佳;施正荣 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;C23F1/24 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于制造多晶硅太阳能电池领域，涉及制备多晶硅片绒面技术。按照本发明所提供的设计方案，该多晶硅片绒面用酸腐蚀溶液制成，该酸腐蚀溶液是一种氧化剂和氢氟酸混合液，其中，氧化剂的浓度范围为0.01到0.5摩尔/升，氢氟酸的浓度范围为1到15摩尔/升，温度范围为5摄氏度到50摄氏度，酸腐蚀时间范围为5分钟到60分钟。相比传统的采用碱溶液(NaOH或KOH)清除损伤层的方法，经本发明的酸腐蚀溶液腐蚀后的多晶硅片不仅可以形成均匀的绒面，而且可以提高太阳能电池转化效率5％以上。若将本发明的绒面多晶硅太阳能电池层压成组件，可进一步提高转换效率3％。本发明所提供的方法具有成本低，易操作和适宜大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 硅绒面 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备多晶硅绒面的方法，其特征在于，该多晶硅片绒面用酸腐蚀溶液制成，该酸腐蚀溶液是一种氧化剂和氢氟酸混合液，其中，氧化剂的浓度范围为0.01到0.5摩尔/升，氢氟酸的浓度范围为1到15摩尔/升，温度范围为5摄氏度到50摄氏度，酸腐蚀时间范围为5分钟到60分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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