[发明专利]制备间隔可调的纳电极的方法无效
| 申请号： | 200410064945.6 | 申请日： | 2004-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1588626A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张琨;王晓平;侯建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 制备间隔可调的纳电极的方法涉及纳米电极的加工和纳米制备，制备方法为：先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酰胺双层胶，用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，将金纳米线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度为预设值，然后等待至电流突然降为零，此时金纳米线已经从中间处断开，断口处形成电极。电流强度预设值为0＜I＜10毫安。金纳米线厚度大于20纳米，小于50纳米，金纳米线的宽度在50～500纳米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 间隔 可调 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备间隔可调的纳电极的方法，其特征在于制备方法为：a、先在二氧化硅衬底上涂聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙稀酰胺双层胶，b、用电子束在该表面生成刻蚀槽，再向该表面蒸发金，在槽中形成金纳米线，c、将金纳米线与电阻、可调的直流电源和电流表串联，在金纳米线两端施加电压，调整电压大小使得流过金纳米线的电流强度为预设值，然后等待至电流突然降为零，此时金纳米线已经从中间处断开，断口处形成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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