[发明专利]一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺无效
| 申请号： | 200410065015.2 | 申请日： | 2004-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1624809A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈俊凌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | G21B1/02 | 分类号： | G21B1/02 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺，主要是为高性能等离子体物理实验创造优化的壁条件。本发明的特征在于根据装置壁涂层成分与结构设计理论，使用等离子体辅助化学气相沉积PACVD方法，在HT－7超导托卡马克射频硅化过程中通入锂蒸汽，实现原位射频锂硅复合壁处理，该种功能涂层不仅具有锂化的高效能，而且能将一般锂化几炮的使用寿命提高到几百炮以上，从而为高功率、长脉冲等离子体物理实验创造很好的壁条件。同时这种壁处理可在纵场线圈不退磁的情况下进行，是更适合于今后国际热核聚变实验堆ITER及未来聚变反应堆的一种壁处理模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可用 聚变 实验 装置 中的 复合 射频 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种可用在核聚变实验装置中的锂硅复合射频壁处理工艺，其特征在于：(1)、先使用脉冲离子回旋波注入激发氦等离子体放电进行核聚变实验装置的壁清洗，清洗一定时间后，再在更高功率的离子回旋波激发氦等离子体中通入硅烷进行射频硅化处理；(2)射频硅化过程中再通入锂蒸汽，进行锂硅复合壁处理。
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