[发明专利]整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片以及制造方法有效
| 申请号： | 200410065392.6 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1783516A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王日新 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐晖 |
| 地址： | 245600*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了整流二极管、专用于制造整流二极管的芯片及其制造方法，整流二极管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，上部是磷扩散区N+，下部是浓硼扩散区P+，芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40－400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造整流二极管芯片，耐压提高，性能稳定。也就是说本发明不但克服了原来单面刻槽方法制造的芯片的缺点，而且具有原来单面刻槽方法制造的芯片的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 整流二极管 专用 制造 芯片 以及 方法 | ||
【主权项】：
1、一种整流二极管，整流二极管由外壳、芯片、引出线三部分组成，芯片包括长基区N、扩磷区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，阴极K在磷扩散区N+上，阳极A在浓硼扩散区P+上，其特征在于：芯片的周边设有隔离墙，在隔离墙平面上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40-400μm，槽型钝化台面在隔离墙与阴极K之间。
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