[发明专利]Sb2Te3单晶纳米线有序阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200410065620.X | 申请日： | 2004-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1769539A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 章根强;晋传贵;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C25D5/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明Sb2Te3化合物单晶纳米线有序阵列及其制备方法，特征是按物质的量之比为2∶1，以柠檬酸盐配位Sb3+；按物质的量之比为4∶1，以硝酸溶解Te粉；按SbO+∶HTeO2+摩尔浓度比2∶3混合上述溶液，定容后调节pH值至1－3作为电镀液；将镀有金膜的多孔氧化铝模板置于电镀液中作为工作电极，以石墨作为辅助电极，控制电流密度在0.2－0.5mA/cm2，电镀0.5－2小时，即得到沿(110)方向生长的Sb2Te3化合物单晶纳米线；其为六方晶系结构的单晶，晶胞参数为a＝b＝0.426nm、c＝3.05nm，且沿(110)方向生长。本发明首次在室温、敞开体系的温和条件下、在多孔氧化铝模板有序孔洞的引导下，利用电化学沉积原理制备出Sb2Te3化合物单晶纳米线阵列；本发明所用设备简单、易于操作、适合工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | sb sub te 纳米 有序 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Sb2Te3化合物单晶纳米线的制备方法，其特征在于：按物质的量之比为2∶1，以柠檬酸盐配位Sb3+；按物质的量之比为4∶1，以硝酸溶解Te粉；按SbO+∶HTeO2+摩尔浓度比2∶3混合上述溶液，定容后调节pH值至1-3作为电镀液；将镀有金膜的多孔氧化铝模板置于电镀液中作为工作电极，以石墨作为辅助电极，控制电流密度在0.2-0.5mA/cm2，电镀0.5-2小时，即得到Sb2Te3化合物单晶纳米线。
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