[发明专利]微型致冷器及其制备方法无效
申请号: | 200410065714.7 | 申请日: | 2004-11-15 |
公开(公告)号: | CN1610139A | 公开(公告)日: | 2005-04-27 |
发明(设计)人: | 陈云飞;陈益芳;杨决宽 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L35/00 | 分类号: | H01L35/00;H01L35/28;H01L23/38 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 微型致冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机CPU的温度控制,改善芯片内部的散热,从而提高器件芯片的工作效率,延长使用寿命的技术,该致冷器为多层结构,自下至上顺序为高温区域(1),金属层(2),P型半导体(3)、N型半导体(6),上金属层(4),低温区域(5)。其制备方法是采用III-V族半导体材料或IV族半导体材料中的硅锗超晶格材料,同时采用化学镀工艺与氧化物隔离工艺相结合形成多级的微型致冷器;采用等离子增强化学气相沉积二氧化硅薄膜保护层,用化学镀铜工艺对P、N型半导体的键合面间实现金属成膜。 | ||
搜索关键词: | 微型 致冷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种微型致冷器,其特征在于该致冷器为多层结构,最下层为高温区域(1),在高温区域(1)上分别设有两块金属层(2),在其中一块金属层(2)上设有P型半导体(3),在另一块金属层(2)上设有N型半导体(6),在P型半导体(3)和N型半导体(6)的上面设有一块整体的上金属层(4),在上金属层(4)的上面为低温区域(5)。
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