[发明专利]钛酸锶钡薄膜材料的制备方法

摘要

本发明在制备钛酸锶钡靶材的原材料中添加微量的敏化剂和成核剂，在磁控溅射过程中使这类添加剂均匀地转移到薄膜中去，通过适当的晶化处理能够强化在薄膜的非晶态固体中均匀地析出大量微晶化晶体，并使其生长，这种方法可显著地提高所制薄膜的介电常数值。其中成核剂的作用主要是促进晶核的形成，敏化剂的作用主要是诱导非晶相析晶。成核剂可使用贵金属氧化物或贵金属盐类，如氧化铜、硝酸银等，敏化剂可以采用能增加光敏性、促进晶核形成的氧化物，如二氧化铈等。而热处理可采用低真空热处理办法，既可进一步降低热处理温度，又能进一步有效地提高晶化效果。

主权项

1、一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，其特征在于该制备方法包括：a.按要求配制钛酸锶钡介质材料，并研磨成颗粒直径≤1微米的超细粉；b.将诱导析晶的敏化剂和能够产生微晶化晶体的成核剂分别研磨成颗粒直径≤1微米的超细粉，并按1～8摩尔比掺杂到钛酸锶钡母体粉体中，通过模压在1200～1250℃、2～4小时烧结预成型；c.将以上掺杂了敏化剂和成核剂的钛酸锶钡再次研磨制成颗粒直径≤1微米的超细粉，通过模压在1250～1300℃、4～6小时烧结成型最终成靶；d.采用磁控溅射法制成薄膜，此薄膜材料非晶态固体成分中含有敏化剂和成核剂，通过紫外光强度15～20mW/cm2、10～30分钟的照射及低真空10～10-1Pa和300～400℃、15～30分钟热处理形成高介电常数钛酸锶钡薄膜材料。