[发明专利]光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法

摘要

光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程；一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本发明解决已有光刻胶刻三维刻蚀过程模拟方法难以同时达到稳定性、模拟速度和精度要求的问题。

主权项

1.一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，其特征在于a、采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程；b、一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本方法的基本步骤如下：a、输入被刻蚀光刻胶的尺寸大小，根据刻蚀模拟精度要求将要刻蚀的光刻胶细分成小正方体组成的阵列，并采用三维矩阵来代表正方体阵列，确定不同元胞的刻蚀速率、总的刻蚀时间和刻蚀计算的时间步长值；b、根据待刻蚀光刻胶的曝光和后烘结果，刻改变一些表面元胞的初始值作为刻蚀模拟的初始条件，产生表面元胞数组及指向这些表面元胞的指针，表面元胞对应的时间补偿值的初始值都为0；c、根据时间步长值进行表面元胞数组刻蚀过程的计算，并计算表面元胞对应的时间补偿值，根据规则产生新的表面元胞数组，指向表面元胞数组的指针数组也随之更新；d、根据上一时间步长计算得到的表面元胞数组，进行下一时间步长的光刻胶刻蚀过程计算，计算表面元胞对应的时间补偿值，根据规则产生新的表面元胞数组，指向表面元胞数组的指针数组也随之更新，这样重复计算光刻胶的刻蚀过程，直到给定的刻蚀总时间结束。