[发明专利]测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法无效

专利信息
申请号: 200410065842.1 申请日: 2004-12-22
公开(公告)号: CN1621821A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 黄庆安;张宇星;李伟华 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01N25/16 分类号: G01N25/16;G01N1/28
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法是基于表面加工工艺的多晶硅薄膜热膨胀系数的在线检测结构,该结构由一个多晶硅双直梁结构以及两个多晶硅弯梁结构构成,在直梁的中间部分镀有铝膜,多晶硅弯梁结构由两个相同的弯梁组成,弯梁中间的顶端设有尖端,其尖端对着铝膜;测量方法为:制备测量梁结构;在室温时对直梁分别通入一微小电流I1和I0,测量其两端的电压V1和V0,得出电阻率ρ个弯梁,总长为L2,对其通入电流I2,测量其两端的电压V2,测量出电阻率ρ增加的电流,观察连接弯梁与直梁锚区的欧姆表的读数是否有一个从无穷大到有限值的跳变;就可以得出热膨胀系数α。
搜索关键词: 测量 多晶 薄膜 热膨胀 系数 结构 及其 测量方法
【主权项】:
1.一种测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构,其特征在于在结构的组成上,该测量结构由一个多晶硅双直梁结构以及两个多晶硅弯梁结构构成;其中,在多晶硅双直梁结构中,多晶硅直梁(31、32)的两端分别固定在两边的锚区(13、16)上,在直梁(31)的中间部分镀有铝膜(311),在直梁(32)的中间部分镀有铝膜(321);多晶硅弯梁结构由两个相同的弯梁(21、22)组成,弯梁(21)的两端分别固定在锚区(11、12)上,弯梁(22)的两端分别固定在两个锚区(14、15)上,在弯梁(21)中间的顶端设有尖端(211),其尖端(211)对着铝膜(311);在弯梁(22)中间的顶端设有尖端(221),其尖端(221)对着铝膜(321);锚区(11、12、13、14、15、16)位于同一块硅衬底层的平面上。
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