[发明专利]制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法无效
| 申请号： | 200410065950.9 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1649094A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 徐丽娜;顾宁;黄岚;解胜利 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法是一种纳米结构的加工技术，该方法基于电场诱导与选择性化学沉积法相结合，同步诱导金属在电极尖端处优先沉积并取向生长，使电极对的间隙从微米级或亚微米级减小到纳米级，从而获得纳米间隙结构。制备的工艺如下：用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极；在原型电极表面组装双功能分子“X－R－Y”、化学吸附化学镀引发剂，使电极表面具有催化活性；将具有催化活性的原型电极放入化学镀溶液中，同时沿着原型电极对的方向上施加一个外置分立交变电场，同步诱导金属在电极对尖端处优先沉积与取向生长，从而实现电极间隙的减小，获得纳米间隙结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 间隙 外电 诱导 取向 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法，其特征在于该方法基于外电场诱导与选择性化学沉积法相结合，同步诱导金属在电极尖端处优先沉积并取向生长，使电极对的间隙从微米级或亚微米级减小到纳米级，从而获得纳米间隙电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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