[发明专利]纳米印章技术中纳米级模板的制备方法无效
| 申请号： | 200410065998.X | 申请日： | 2004-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1658069A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈坤基;张永军;刘嘉瑜;马忠元;黄信凡;李伟;李卫;徐骏 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a－Si)/氮化硅(SiNx)、(a－SiC)/(SiNx)、(a－Ge)/(SiNx)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a－Si/SiNx多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 印章 技术 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，其特征是先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。
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