[发明专利]锆钛酸铅反射膜片及制备方法无效

专利信息
申请号: 200410066230.4 申请日: 2004-09-09
公开(公告)号: CN1588129A 公开(公告)日: 2005-03-02
发明(设计)人: 胡古今;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G02B1/04 分类号: G02B1/04;G02B1/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种锆钛酸铅反射膜片及制备方法,反射膜片包括:硅基片,在硅基片上依次有相互牢固结合的导电金属氧化物镍酸镧缓冲层,二种不同锆组份的膜层交替排列形成多个周期的锆钛酸铅反射膜堆。锆钛酸铅反射膜堆采用溶胶-凝胶法生长,溶剂为己二醇甲醚,稳定剂为己酰丙酮,增稠剂为聚乙烯吡咯烷酮,防裂剂为正丙醇。溶质为硝酸铅、正丁醇钛、异丙醇锆。本发明的优点是:所用设备简单,操作方便,能大面积制备多层膜系。同时,可通过选择工艺参数,溶液浓度等手段,操控峰值反射率的中心波长。
搜索关键词: 锆钛酸铅 反射 膜片 制备 方法
【主权项】:
1.一种锆钛酸铅反射膜片,包括:硅基片(1),在硅基片上依次有相互罕固结合的导电金属氧化物镍酸镧缓冲层(2),二种不同组份的膜层交替排列形成多个周期的PbZrTiO3膜堆(3),如下式: Si/LaNiO3/(PbZrxTi1-xO3/PbZryTi1-yO3)n,式中x、y分别代表Zr的不同组分,并满足0<x<1、0<y<1、x≠y的条件;n为周期,n=1、2、3、4,直到所需厚度。
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