[发明专利]半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法有效
| 申请号： | 200410066298.2 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1747136A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 季华;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)淀积多晶硅层；(4)硅单晶片衬底顶表面上和背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO2)层；(6)用磷酸(H3PO4)湿腐蚀除去硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层；(7)用氢氟酸(HF)腐蚀除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO2)层，保留衬底顶表面的氮化硅(SiN)层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 晶片 衬底 背面 氮化 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的腐蚀方法，包括以下步骤：(1)设置硅单晶片衬底；(2)硅单晶片衬底上淀积氧化物栅材料；(3)在氧化物栅材料上淀积多晶硅层(polysilicon)；(4)硅单晶片衬底上淀积多晶硅层后，在硅单晶片衬底顶表面上的多晶硅层上和硅单晶片衬底的背面上形成氮化硅(SiN)保护层；(5)硅单晶片衬底顶表面上形成的氮化硅(SiN)层上形成二氧化硅(SiO2)保护层；(6)将具有以上工艺步骤中形成的结构的硅单晶片衬浸入磷酸(H3PO4)腐蚀槽中，用磷酸(H3PO4)湿腐蚀硅单晶片衬底背面上的氮化硅(SiN)层，除去硅单晶片衬底背面的氮化硅(SiN)层；(7)进行氢氟酸(HF)腐蚀，除去硅单晶片衬底顶表面的氮化硅(SiN)层上的二氧化硅(SiO2)保护层，保留硅单晶片衬底顶表面上的氮化硅(SiN)保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410066298.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
