[发明专利]含金纳米粒子的逐层自组装超薄导电膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200410066364.6 申请日: 2004-09-14
公开(公告)号: CN1610013A 公开(公告)日: 2005-04-27
发明(设计)人: 王夏琴;李文彬 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: H01B12/02 分类号: H01B12/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 罗大忱
地址: 200051*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种表面经羧基修饰的金纳米粒子与具有8个官能团的八丙铵基八硅氧烷逐层交替自组装制备超薄导电膜的制备方法。金纳米粒子表面的羧基在弱碱性条件下脱去质子,转化成羧酸根阴离子,从而与八丙铵基八硅氧烷的铵基阳离子发生较强的静电作用。本发明以这种静电作用为驱动力,实现上述两种组份的逐层交替自组装,制备逐层自组装超薄导电膜。本发明所述的自组装超薄导电膜制备方法简便,得到的自组装超薄导电膜具有优异的光学和导电性能。
搜索关键词: 纳米 粒子 组装 超薄 导电 制备 方法
【主权项】:
1.一种含金纳米粒子的逐层自组装超薄导电膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将带负电荷的玻璃基板浸渍于八丙铵基八硅氧烷的甲醇溶液中,取出,洗涤,干燥,膜表面呈正电荷;(2)将带有八丙铵基八硅氧烷分子的玻璃基板浸渍于Au-COO-甲醇溶液中,浸渍时间为5~30分钟,取出,洗涤,干燥,即可获得八丙铵基八硅氧烷与Au-COO-交替自组装超薄导电膜;多次重复此循环过程,可得到含金纳米粒子的逐层交替自组装超薄导电膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学,未经东华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410066364.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top