[发明专利]一种金属氧化物、硫化物纳米线阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 200410066450.7 申请日: 2004-09-16
公开(公告)号: CN1608998A 公开(公告)日: 2005-04-27
发明(设计)人: 田博之;刘晓英;李彦光;李想;屠波;赵东元 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C01G1/02 分类号: C01G1/02;C01G1/12;C30B29/62
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;沈云
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明为一种通过无机介孔材料模板法反相制备金属氧化物、硫化物纳米线阵列的方法。其制备过程是:首先向模板中加入金属盐或硫源,与挥发性的有机溶剂均匀混合,然后在空气中放置,使有机溶剂挥发。重复上述步骤,进行多次填充。之后直接烧结使之分解、晶化,产生相应的氧化物和硫化物;或者直接向多次填充后的复合物中加入碱溶液,使孔道内的离子生成氧化物和氢氧化物沉淀。最后除去无机模板,得到所要的高比表面积的、有序的金属氧化物或硫化物纳米线阵列。上述方法得到的材料忠实地复制了无机模板原有的介观结构,不仅具有较高的比表面积和单一的介孔分布,而且高度晶化,具有良好的光学、电学、磁学等特性。
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 硫化物 纳米 阵列 制备 方法
【主权项】:
1.一种金属氧化物和硫化物纳米线阵列的制备方法,其特征在于首先向作为模板的无机介孔材料中加入金属盐和/或硫源,并与挥发性的有机溶剂均匀混合,在空气中放置,使有机溶剂挥发,重复上述步骤,进行多次填充,然后经过直接烧结使之分解晶化,产生相应的金属氧化物或硫化物,或者直接向多次填充后的复合物中加入碱溶液,使孔道内的离子生成氧化物和氢氧化物沉淀,继续搅拌后离心分离;最后溶解除去无机模板,即得到所要的金属氧化物或硫化物纳米线阵列。
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