[发明专利]新型CuI晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 200410066546.3 | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1609285A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 顾牡;张睿;汪大祥;刘小林 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B5/00 | 分类号： | C30B5/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 杜林雪 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CuI晶体及其生长方法，CuI晶体呈γ相的规则四面体结构，尺寸大于2mm。该生长方法采用浓度控制技术和络合—解络法相结合的方法。本发明采用的浓度递减控制技术和络合—解络相结合的生长方法具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点，所生长的γ相CuI晶体纯度高、应力小、缺陷少、形貌好和尺寸较大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要的应用价值，同时还可以用作快离子导体。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 cui 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种新型CuI超快闪烁晶体，其特征在于：CuI晶体呈γ相的规则四面体结构，尺寸大于2mm。
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