[发明专利]合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410066585.3 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1304630C | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 程凡雄;姜传海;吴建生;董显平;单爱党 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法，用于材料制备技术领域。本发明首先把Co和Si按照CoSi2化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF2结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi2薄膜。本发明可制备具有各种状态的CoSi2薄膜，薄膜经过处理具有良好的导电性、热稳定性以及低应力水平，同时这种方法生产薄膜能够提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 磁控溅射 法制 cosi sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法，其特征在于，首先把Co和Si按照CoSi2化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF2结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi2薄膜。
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