[发明专利]高温熔体中晶体生长的沿易轴取向的织构控制方法无效
| 申请号： | 200410066592.3 | 申请日： | 2004-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1613580A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邓沛然;李建国;许振明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B22D27/02 | 分类号： | B22D27/02;B22D27/04 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高温熔体中晶体生长的沿易轴取向的织构控制方法，用于材料控制技术领域。本发明采用织构控制分段的方法，通过在熔点附近缓慢升温和在静磁场下保温一段时间来确保高于熔点+20℃内的高温熔体中的温度场均匀：当施加的静磁场的强度较高时，温度场均匀的熔体采用相对较快的凝固速率凝固；当施加的静磁场的强度低时，采用较低的凝固速率凝固，这样通过磁场诱导熔体中晶体平行于磁场方向沿易轴有序堆垛，实现磁场中熔体织构控制。本发明可在不同的磁场下对不同的材料可以容易地实现材料的有序堆垛，对在高温熔体状态具有残余的磁晶各向异性的材料则可实现沿易轴有序堆垛。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 熔体中 晶体生长 沿易轴 取向 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温熔体中晶体生长的沿易轴取向的织构控制方法，其特征在于，采用织构控制分段的方法，通过在熔点附近缓慢升温和在静磁场下保温一段时间来确保高于熔点+20℃内的高温熔体中的温度场均匀：当施加的静磁场的强度较高时，温度场均匀的熔体采用相对较快的凝固速率凝固；当施加的静磁场的强度低时，采用较低的凝固速率凝固，这样通过磁场诱导熔体中晶体平行于磁场方向沿易轴有序堆垛，实现磁场中熔体织构控制。
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