[发明专利]脉冲激光沉积制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法无效
| 申请号： | 200410066747.3 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1614103A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王银珍;徐军;周圣明;杨卫桥;李抒智;彭观良;刘世良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种脉冲激光沉积制备γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，首先是γ－LiAlO2的制备，然后利用脉冲激光淀积将γ－LiAlO2靶材的表层分子熔蒸出来，在加热的α－Al2O3或硅等衬底上沉积生成γ－LiAlO2单晶薄膜覆盖层。本发明方法具有工艺简单、易操作，此种结构的衬底适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 沉积 制备 lialo sub 薄膜 覆盖层 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的方法，其特征在于该方法是：首先是γ-LiAlO2的制备，然后利用脉冲激光淀积在α-Al2O3或硅衬底上制备一γ-LiAlO2覆盖层。
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