[发明专利]一种减少钨化学机械研磨微刮痕的工艺有效
| 申请号： | 200410066764.7 | 申请日： | 2004-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1755903A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王明卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/302;H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种减少钨化学机械研磨微刮痕的工艺，提供一半导体基底，其制作钨插塞的主要步骤有光阻涂布、微影，蚀刻，用W CVD方法沉积钨金属，用W CMP工艺磨去表面的钨金属，完成钨插塞的制作，其特征在于，在进行光阻微影以前还包括一个沉积一氮化硅薄膜的步骤。因为W CMP工艺过程对SiN的选择比高于对氧化层，所以可以避免或减少留下微刮痕。这样，有了SiN膜层就避免金属导电层的短路，可以很好的控制产品的质量。大大节约了工艺时间与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 化学 机械 研磨 刮痕 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种减少钨化学机械研磨微刮痕的工艺，提供一半导体基底，其制作钨插塞的主要步骤有光阻涂布、微影，蚀刻，用W CVD方法沉积钨金属，用W CMP工艺磨去表面的钨金属，完成钨插塞的制作，其特征在于，在进行光阻涂布，微影以前还包括一个沉积一氮化硅薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
