[发明专利]氧化铂作掩膜的只读超分辨光盘无效
| 申请号： | 200410066861.6 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1588544A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 张锋;徐文东;王阳;周飞;高秀敏;杨金涛;朱青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氧化铂作掩膜的只读超分辨光盘，其构成是在盘基础上依次镀有第二保护层、氧化铂掩膜层和第一保护层，所述的第一保护层和第二保护层均是由硫化锌∶二氧化硅＝80∶20的复合材料构成的薄膜层；所述的氧化铂中的含O2量由溅射过程中O2/(O2+Ar)的分压比例决定，分压比的取值范围为0.1～0.4。所述的氧化铂掩膜层是由厚度为15－80nm的纳米氧化铂薄膜层。本发明氧化铂作掩膜的只读超分辨光盘具有稳定性好、信噪比更高和更好的读出循环性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 铂作掩膜 只读 分辨 光盘 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铂作掩膜的只读超分辨光盘，其特征在于它的构成是在盘基础(11)上依次镀有第二保护层(3)、氧化铂掩膜层(2)和第一保护层(1)，所述的第一保护层(1)和第二保护层(3)均是硫化锌∶二氧化硅＝80∶20的复合材料构成的薄膜层；所述的氧化铂(PtOx)中氧的含量由溅射过程中O2/(O2+Ar)的分压比例决定，分压比的取值范围为0.1～0.4。
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