[发明专利]改进的集成电路电容器制造方法有效

申请号：	200410067202.4	申请日：	2004-10-15
公开（公告）号：	CN1761048A	公开（公告）日：	2006-04-19
发明（设计）人：	金正起	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L21/82
代理公司：	上海新高专利商标代理有限公司	代理人：	楼仙英
地址：	201203上海市浦***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提出了一种改进的集成电路电容器(capacitor)制造方法，特别是动态随机存储器(dynamic randomaccess memory；DRAM)中的电容器(capacitor)制造方法。在无掩膜曝光后，使用深蚀刻(Etch Back)完成单元隔离，不需要有化学机械研磨(CMP)的过程。从而避免了化学机械研磨CMP的缺点，例如费用昂贵、产生刮痕和引起单元间相通等。
搜索关键词：	改进集成电路电容器制造方法
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【主权项】：

1、改进的集成电路电容器的制造方法，包括以下步骤：步骤1，在位线(Bit Line)之间加入连接电容器到源区(Cell Source)的拴塞(plug)，使其连接到源区；步骤2，先淀积电容器的氧化物层，然后进行光刻、腐蚀形成电容器结构；步骤3，淀积聚合体(Poly)和HSG(Half Sphere Grain)小球作为电容器的底部电极(Bottom Electrode)，再覆盖用于单元隔离的光阻(PR)；其特征是，还包括：步骤4，无掩膜曝光，接着光刻胶显影用以深蚀刻(Etch Back)底部电极；步骤5，对底部电极(bottom electrode)进行深蚀刻(Etch Back)；步骤6，剥离光刻胶(PR)并用例如去离子水清洗；步骤7，淀积介电材料形成顶部电极(Top Electrode)。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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