[发明专利]三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200410067218.5 | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1588642A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘卫丽;宋志棠;陈邦明;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上。其制作方法是在(100)面上形成nMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(110)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(110)面上制备pMOS，连线形成高速的CMOS结构；也可以在(110)面上形成pMOS并覆盖上绝缘层后，将表面为(100)面的单晶硅薄膜转移到绝缘层上，在(100)面上制备nMOS。本发明提供的金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法，可以获得高迁移率、高集成度和低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 互补 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管的结构，其特征在于p型金属氧化物半导体晶体管制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，n型金属氧化物半导体晶体管制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，p型金属氧化物半导体晶体管和n型金属氧化物半导体晶体管分开在不同层上，彼此由绝缘层隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410067218.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：消色差光学参量啁啾脉冲放大系统
- 下一篇：鹅血粉制作工艺及其产品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
