[发明专利]一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200410067219.X | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1610127A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘卫丽;宋志棠;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅用于克服短沟道效应，而尽量小的顶栅目的是为了提高速度，有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上，可提高速度，降低功耗。该双栅结构的制备方法是，在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部，在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区，然后制备顶部栅介质层和栅电极，形成高性能的双栅金属氧化物半导体晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构，其特征在于它由底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区构成；底栅比顶栅宽，沟道区为半导体薄膜，有源区在单晶半导体薄膜上。
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