[发明专利]碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片

摘要

本发明公开了一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，该芯片采用一种注入平面结和台面异质结的混合结构，避免了高难度的两步微台面的刻蚀。最终得到的列阵芯片性能参数几乎接近于常规单波段HgCdTe焦平面器件性能。这说明本发明采用的混合结构的技术方案是合理的、可行的。

主权项

1.一种碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片，包括：GaAs衬底(1)，与GaAs衬底牢固结合的CdTe过渡层(2)，在CdTe过渡层上有一维或二维排列的微台面(3)及爬坡公共电极(4)，微台面(3)上In球(5)和(6)，爬坡公共电极(4)上有In球(7)，其特征在于：所说的微台面依次由：In掺杂的N型HgCdTe层301，掺杂浓度为2.0-8.0×1017，厚度为1.5-3.5μm；Hg空位掺杂的p型HgCdTe层302，掺杂浓度为5.0-15.0×1015，厚度为4.0-7.0μm；Hg空位掺杂的p型HgCdTe势垒阻挡层303，掺杂浓度为6.0-16.0×1015，厚度为0.1-0.6μm；Hg空位掺杂的p型HgCdTe层304，掺杂浓度为4.0-12.0×1015，厚度为7.0-12.0μm；在p型HgCdTe层304的表面部分区域有一通过B+注入的n+区域305组成；In掺杂的N型HgCdTe层(301)和Hg空位掺杂的p型HgCdTe层(302)构成响应较短红外波长的P-N台面异质结；Hg空位掺杂的p型HgCdTe层(304)和n+区域(305)构成响应较长红外波长的P-n+平面结。