[发明专利]一种可提高巨磁电阻效应的自旋阀制备方法

摘要

本发明属磁电子学和磁记录技术领域，具体为一种制备自旋阀的新方法。不同于传统的连续生长，首先在衬底上生长一层Ta缓冲层，然后停止溅射，约一段时间之后，继续溅射铁磁/Cu/铁磁，及反铁磁层和覆盖层，其中铁磁可以是铁、钴、镍及其合金，反铁磁可以是铁锰，氧化镍，铱锰及铂锰。由此完成的自旋阀的巨磁电阻效应比连续生长自旋阀的性能得到明显的提高。这种改善的制备方法有助于进一步提高和改善自旋阀巨磁电阻的灵敏度。

主权项

1、一种自旋阀的制备方法，其特征在于用真空镀膜方法，在衬底测射形成缓冲层，停止沉积；10分钟-10小时之后，继续依次溅射铁磁层、Cu层、铁磁层、反铁磁层和覆盖层；其中缓冲层为Ta，厚度为0.5-10纳米，铁磁层采用Fe、Co、Ni或它们的合金之一种，厚度为0.5-10纳米，两层铁磁层之间的隔离层Cu，厚度为1.5-3.5纳米，反铁磁层采用NiO、FeMn、IrMn，、PtMn之一种，厚度为2-30纳米，覆盖层采用Ta，厚度为1-20纳米。