[发明专利]用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法无效
| 申请号： | 200410067598.2 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1606127A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 菅洪彦;王俊宇;唐长文;何捷;闵昊 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01F41/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相邻线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压差线圈之间大间距，内圈相对小间距的相邻线圈不等间距方法，降低寄生电容。这样，通过降低寄生电容，进而提高电容意味着高的电感品质因数和自激振荡频率，改进电感电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 集成电路 工艺 设计 寄生 电容 驱动 对称 电感 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法，其特征在于采用标准集成电路工艺，通过降低电感相邻线圈之间的寄生电容，进而提高电感的品质因素和自激振荡频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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