[发明专利]掺铬镱铝石榴石晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200410067699.X | 申请日： | 2004-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1632184A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐晓东;徐军;赵志伟;宋平新;夏长泰;张连瀚;赵广军;邓佩珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺Cr4+镱铝石榴石晶体的生长方法，该方法的原料配方为：5(1－x)Al2O3+3(1－y)Yb2O3+5xCr2O3+6yCaCO3＝2Yb3(1－y)Cr5xCa3yAl5(1－x)O (12－3y/2)+6yCO2其中0.01％≤x≤ 1％，x≤y≤5x；在普通的中频感应加热单晶炉采用提拉法生长。本发明容易生长掺Cr4+镱铝石榴石晶体，晶体可直接采用InGaAs半导体激光器泵浦，实现自调Q1030nm激发输出。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铬镱铝 石榴石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺Cr4+镱铝石榴石晶体的生长方法，其特征在于该晶体的原料配方为：其中0.01％≤x≤1％ x≤y≤5x在普通的中频感应加热单晶炉采用提拉法生长。
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