[发明专利]一种金属前接触孔清洗工艺无效
| 申请号： | 200410067832.1 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1603470A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 缪炳有;康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C23G1/02 | 分类号： | C23G1/02;C23G1/14;C23G1/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属前接触孔刻蚀后的清洗工艺。在0.35微米或以上工艺，人们通常采用硫酸溶液(SPM)进行刻蚀后的接触孔清洗，但总有残留颗粒；但当器件尺寸缩小到0.25微米或以下工艺时，接触孔中的残留颗粒严重的影响产品的成品率。为了解决这一问题，本发明提出了一种SPM+APM的清洗方法，用氨水溶液(APM)去除接触孔中的残留颗粒，特别是以SiO2为主要成分的残留颗粒。通过调节SPM和APM的浓度、温度和清洗时间，获得合适的清洗工艺条件，从而使接触孔连接可靠性大大地提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 接触 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种金属前接触孔刻蚀后的清洗工艺，其特征在于先用SPM(硫酸溶液)进行去胶和金属污染清洗，并用高纯去离子水冲洗；再用APM(氨水溶液)清洗，然后再用高纯去离子水冲洗，以去除残留颗粒。
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