[发明专利]双大马士革结构中刻蚀阻挡层的旋涂法制备无效
| 申请号： | 200410067834.0 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1604287A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域，具体为一种新的制备双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法。在通孔一级的lowk材料淀积结束后，再通过旋涂的方法淀积一定厚度的可形成无机或有机介质的溶液，再经过一定温度的烘焙使之发生反应，形成所需的介质。该方法易于控制、工艺简单，并可以通过调节成分来改变介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 结构 刻蚀 阻挡 法制 | ||
【主权项】：
1、一种制备双大马士革结构中刻蚀阻挡层的方法，其特征在于在通孔一级低介电常数材料的表面旋涂一层溶液，再进行烘焙硬化，形成刻蚀阻挡层；所述溶液为形成无机介质的溶液，以形成无机刻蚀阻挡层，或为形成有机介质的溶液，以形成有机刻蚀阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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