[发明专利]一种保护有源区面积的浅结隔离槽工艺有效
| 申请号： | 200410067836.X | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1632937A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈寿面;杨左娅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种保护有源区面积的新STI工艺。随着集成电路器件集成度的不断提高，在同一块芯片上往往集成了多种不同的电路和器件。对于这样的芯片制造工艺，人们既要保证核心逻辑电路的高性能又要尽量增加存储器的容量和密度。为此，本发明提出了一种新的STI工艺，把需要高密度的硅片区和需要高性能的硅片区分开来，即在被MASK保护的区域，不采用pull－back等影响有源区面积的工艺，以获得最大的有源区面积，用以制备存储器等高密度器件；而在不被MASK保护的区域，采用pull－back等用以改善STI边角形状的工艺，以获得最佳的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 有源 面积 隔离 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种保护有源区面积的浅结隔离槽技术工艺，其特征在于在进行STI工艺的过程中，通过一掩膜板将整个芯片分解成二个不同的区域，分别用于制造存储器电路和其他逻辑电路，上述用于制造存储器电路的区域称为保护区域，用于制造其他逻辑电路的区域称为非保护区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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