[发明专利]在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺无效
| 申请号： | 200410067837.4 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1617314A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 滕怀流;陶金龙 |
| 地址： | 200020上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了优化硅化物模块工艺，在栅极和源漏极区域生长不同厚度硅化物，在源漏区域的硅化物厚度较薄以满足结漏电的要求，在栅极区域的硅化物厚度较厚以满足低电阻的要求。为此需要用介质膜在生长某一种厚度硅化物的同时覆盖住需要保护的有源区区域，本发明可以有多种实现的工艺步骤方式，根据需要加以选择。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 有源 区域 两次 形成 硅化物 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种在晶体管的有源区域形成硅化物的工艺，其特征在于在栅极区域沉积相对较厚的硅化物，在源漏区域沉积相对较薄的硅化物，栅极区域沉积硅化物与源漏区域沉积硅化物的厚度之比大于1，小于10。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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