[发明专利]磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜无效
| 申请号： | 200410067895.7 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1632185A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 周国清;刘军芳;徐军;何晓明;夏长泰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/22;C30B25/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β－BBO陶瓷靶材或β－BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α－BBO单晶衬底上形成一层β－BBO/α－BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 法制 低温 硼酸 钡单晶 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。
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