[发明专利]电容元件及半导体存储装置

摘要

本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。

主权项

1、一种电容元件，其特征在于：具有：立体形状的下部电极、与所述下部电极相对向形成的上部电极、以及在所述下部电极和所述上部电极之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜，将所述电容绝缘膜的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下。