[发明专利]使用螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积装置无效
| 申请号： | 200410068244.X | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1619011A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 尤里·N·托尔马切夫;马东俊;瑟格里·Y·纳瓦拉;金大一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J37/32;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一个有螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积(IPVD)装置。IPVD装置包括一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，面朝基体保持器，向处理腔内提供沉积在基体上的材料；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，在处理腔内产生电离沉积材料的等离子体，其一端是接地的，另一端电开放；和一个射频发生器，提供射频电力给螺旋自谐振线圈。使用螺旋自谐振线圈使得IPVD装置能够在非常低的真空室压力——如接近0.1mTorr下激发和操作，并更有效的产生比常规IPVD装置更高浓度的等离子体。相应的，可以获得很高的沉积材料电离效率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 螺旋 谐振 线圈 电离 物理 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一个电离物理汽相沉积装置(IPVD)，包括：一个处理腔，内有基体保持器支撑处理的基体；一个沉积材料源，向处理腔内提供沉积在基体上的材料，面朝基体保持器；一个气体喷射单元，朝处理腔内喷射处理气体；一个偏压电源，向基体保持器施加偏置电压；一个螺旋自谐振线圈，为处理腔内沉积材料的电离产生等离子体，其一端接地，另一端电开放；一个射频发生器，向螺旋自谐振线圈提供射频电力。
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