[发明专利]校正光刻工艺的方法以及叠合记号的形成方法无效
| 申请号： | 200410068274.0 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1740912A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈泰原 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种校正光刻工艺的方法，此方法先进行物理气相沉积工艺(PVD)，以于晶片上沉积薄膜，其中所沉积的薄膜会随着PVD的靶材消耗量其于沟槽或凹洞侧壁的不对称沉积程度而有所变化，因而造成叠合记号的偏移量有所变化，且靶材消耗量与偏移量之间存在有一关系式，而且此关系式记录于一控制系统中。此控制系统会计算出补偿值，并将此补偿值回馈于后续欲进行的光刻工艺。接着，在薄膜上形成光致抗蚀剂层。之后，对光致抗蚀剂层进行光刻工艺，其中在进行光刻工艺时，由于控制系统会将补偿值回馈于光刻工艺，以校正薄膜其随着PVD的靶材消耗量所造成的偏移，因此可以避免因所形成的叠合记号的位置偏移，而造成叠合记号测量发生错误的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 光刻 工艺 方法 以及 叠合 记号 形成 | ||
【主权项】：
1、一种校正光刻工艺的方法，包括：进行一物理气相沉积工艺(PVD)，以于一晶片上沉积一薄膜，其中所沉积的该薄膜会随着该PVD的靶材消耗量(Target Consumption)而存在有一光刻叠合记号的偏移量的改变，且该靶材消耗量与该偏移量之间存在有一关系式；由该关系式取得一补偿值；在该薄膜上形成一光致抗蚀剂层；以及对该光致抗蚀剂层进行一光刻工艺，其中在进行该光刻工艺时，会将该补偿值回馈于该光刻工艺。
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