[发明专利]薄膜晶体管的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410068279.3 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1630097A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈东佑 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，系利用间隔层(Spacer Layer)隔绝含氮的绝缘层和NI接合区，以使漏电流量降低，提升TFT组件的电子稳定性。其中，在背沟道蚀刻式TFT组件中，间隔层，例如是氧化层，系形成于沟道区间的侧壁，用以隔开氮化硅保护层和NI接合区。在蚀刻停止式TFT组件中，间隔层则形成于蚀刻停止层的两侧，用以隔绝氮化硅蚀刻停止层和NI接合区。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：基板，其上形成绝缘表面；沟道区间，形成于该基板的该绝缘表面上方，且该沟道区间具有本征非晶硅半导体层；漏极与源极，位于该沟道区间的两侧，且该对漏极与源极和该本征非晶硅半导体层之间分别具有可导电的本征非晶硅半导体层；间隔层，形成于该可导电的本征非晶硅半导体层的侧壁处；和绝缘层，形成于该沟道区间内；其中，该间隔层隔绝了该绝缘层与该可导电的本征非晶硅半导体层的直接接触。
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