[发明专利]光信息记录介质用母盘的制造方法、该母盘的圆盘无效

专利信息
申请号: 200410068340.4 申请日: 2004-08-31
公开(公告)号: CN1591633A 公开(公告)日: 2005-03-09
发明(设计)人: 富山盛央;伊藤英一;川口优子 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种光信息记录介质用母盘的制造方法,包括:通过曝光使具有蚀刻层(102)以及形成在蚀刻层(102)上的光致抗蚀剂层(103)的原盘的光致抗蚀剂层(103)的特定部分(104)的结晶状态发生变化的工序;去除特定部分(104)的工序;去除与在光致抗蚀剂层(103)的去除部分重叠的部分蚀刻层(102)的工序;去除光致抗蚀剂层(103),形成导电膜(105)的工序;以导电膜(105)作为电极进行电铸的工序;从导电膜(105)剥离蚀刻层(102)的工序。
搜索关键词: 信息 记录 介质 母盘 制造 方法 圆盘
【主权项】:
1.一种光信息记录介质用母盘的制造方法,包括:通过蚀刻使至少具有蚀刻层以及光致抗蚀剂层的原盘部件的上述光致抗蚀剂层的特定部分的结晶状态发生变化的工序,其中所述蚀刻层形成于蚀刻阻止层上,所述光致抗蚀剂层形成于上述蚀刻层上并且能够蚀刻;通过蚀刻,有选择地去除结晶状态变化后的上述光致抗蚀剂层的上述特定部分或上述特定部分以外的部分的工序;通过蚀刻,有选择地去除,通过去除上述光致抗蚀剂层而产生的、向外部露出的上述蚀刻层的一部分的工序;去除上述光致抗蚀剂层的残留部分,在上述蚀刻阻止层及上述蚀刻层的表面侧形成导电膜的工序;以上述导电膜作为电极进行电铸的工序;从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序。
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