[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410068426.7 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1571166A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 平野泉;小山正人;西山彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种使用可以降低绝缘膜的泄漏电流的金属硅酸盐膜等的半导体器件及其简单制造方法。提供一种半导体器件，其特征在于包括硅：硅基板(10)；在硅基板(10)上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜(12′)，栅绝缘膜具有与硅基板(10)连接的第一层区域、在栅绝缘膜(12′)的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在第一层区域和第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的金属的最大浓度比第一和第二层区域的金属的浓度的最小值高，第三层区域的氮的最大浓度比第一和第二层区域的氮浓度的最小值高；与第二层区域连接的栅电极；和在栅绝缘膜两侧形成的一对源/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包括：硅基板；在所述硅基板上形成的含有硅、氧、氮和金属的栅绝缘膜，所述栅绝缘膜具有与所述硅基板连接的第一层区域、在与所述棚绝缘膜的第一层区域相对侧的第二层区域、以及在所述第一层区域和所述第二层区域之间的第三层区域，所述第三层区域的所述金属的最大浓度比所述第一和第二层区域的所述金属的浓度的最小值高，所述第三层区域的所述氮的最大浓度比所述第一和第二层区域的所述氮浓度的最小值高；与所述第二层区域连接的栅电极；和在所述棚绝缘膜两侧附近形成的一对源/漏区。
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