[发明专利]平面发射型半导体激光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410068435.6 | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1574525A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 黑水勇一;成井启修;山内义则;田中嘉幸;渡部义昭 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种平面发射型半导体激光器件，包括：在n型GaAs台面式衬底上的、下反射层、下覆盖层、活性层、上覆盖层、上反射层，以及p型接触层的叠层结构。台面式衬底包括：圆形(100)晶面的上层部分、台面部分以及围绕上层部分的环形(100)晶面的下层部分，其中在上层部分和下层部分之间具有台面部分。当在台面式衬底上生长作为电流限制层的AlAs层时，使得上层部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度比台面部分的上侧上的AlAs层中的杂质浓度高，从而使上层部分的上侧上的AlAs层的氧化过程受到自主抑制。通过AlAs层的氧化反应的时间控制，可以将上层部分的上侧上的圆形AlAs层维持在具有精确形状和精确面积的未氧化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 发射 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种平面发射型半导体激光器件，包括：下反射层、光发射层、具有电流限制层的上反射层，其中：在台面式衬底上形成所述平面发射型半导体激光器件，该台面式衬底包括上层部分、台面部分和低于所述上层部分并且围绕所述上层部分的下层部分，其中在所述上层部分和下层部分之间具有台面部分，所述电流限制层包括，在所述台面式衬底的所述上层部分的上侧，由具有基本上与所述上层部分的平面视图形状相同的形状以及具有基本上与所述上层部分的尺寸相同的尺寸的未氧化高Al含量层构成的电流注入区，所述电流限制层包括，作为电流限制区的、通过氧化所述电流注入区周围的高Al含量层得到的环形氧化铝层，以及所述高Al含量层被掺杂1×1017至1×1018cm-3的杂质浓度的n型杂质。
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